(光刻胶)polyerlayers(高分子聚合物层)polymide(聚酰亚胺)polysilicon(多晶硅)amorphoussilicon(非晶硅)基底实例:对于厚度测量,大多数情况下所要求的只是一块光滑、反射的基底。对于光学常数测量,需要一块平整的镜面反射基底;如果基底是透明的,基底背面需要进行处理使之不能反射。包括:silicon(硅)glass(玻璃)aluminum(铝)gaas(砷化镓)steel(钢)polycarbonate(聚碳酸脂)polymerfilms(高分子聚合物膜)应用半导体制造液晶显示器光学镀膜photoresist光刻胶oxides氧化物nitrides氮化物cellgaps液晶间隙polyimide聚酰亚胺ito纳米铟锡金属氧化物hardnesscoatings硬镀膜anti-reflectioncoatings增透镀膜filters滤光f20使用**仿真活动来分析光谱反射率数据。标准配置和规格F20-UVF20F20-NIRF20-EXR只测试厚度1nm~40μm15nm~100μm100nm~250μm15nm~250μm测试厚度和n&k值50nmandup100nmandup300nmandup100nmandup波长范围200-1100nm380-1100nm950-1700nm380-1700nm准确度大于%或2nm精度1A2A1A稳定性光斑大小20μm至可选样品大小1mm至300mm及更大探测器类型1250-元素硅阵列512-元素砷化铟镓1000-元素硅&512-砷化铟镓阵列光源钨卤素灯。F50-NIR测厚范围:100nm-250µm;波长:950-1700nm。盒厚膜厚仪应用
其可测量薄膜厚度在1nm到1mm之间,测量精度高达1埃,测量稳定性高达,测量时间只需一到二秒,并有手动及自动机型可选。可应用领域包括:生物医学(Biomedical),液晶显示(Displays),硬涂层(Hardcoats),金属膜(Metal),眼镜涂层(Ophthalmic),聚对二甲笨(Parylene),电路板(PCBs&PWBs),多孔硅(PorousSilicon),光阻材料(ThickResist),半导体材料(Semiconductors),太阳光伏(Solarphotovoltaics),真空镀层(VacuumCoatings),圈筒检查(Webinspectionapplications)等。通过Filmetrics膜厚测量仪*新反射式光谱测量技术,*多4层透明薄膜厚度、n、k值及粗糙度能在数秒钟测得。其应用光泛,例如:半导体工业:光阻、氧化物、氮化物。LCD工业:间距(cellgaps),ito电极、polyimide保护膜。光电镀膜应用:硬化镀膜、抗反射镀膜、过滤片。极易操作、快速、准确、机身轻巧及价格便宜为其主要优点,Filmetrics提供以下型号以供选择:F20:这简单入门型号有三种不同波长选择(由220nm紫外线区至1700nm近红外线区)为任意携带型,可以实现反射、膜厚、n、k值测量。F30:这型号可安装在任何真空镀膜机腔体外的窗口。可实时监控长晶速度、实时提供膜厚、n、k值。并可切定某一波长或固定测量时间间距。ITO导电膜膜厚仪生产国Filmetrics 提供一系列的和测绘系统来测量 3nm 到 1mm 的单层、 多层、 以及单独的光刻胶薄膜。
非晶态多晶硅硅元素以非晶和晶体两种形式存在,在两级之间是部分结晶硅。部分结晶硅又被叫做多晶硅。非晶硅和多晶硅的光学常数(n和k)对不同沉积条件是独特的,必须有精确的厚度测量。测量厚度时还必须考虑粗糙度和硅薄膜结晶可能的风化。Filmetrics设备提供的复杂的测量程序同时测量和输出每个要求的硅薄膜参数,并且“一键”出结果。测量范例多晶硅被广范用于以硅为基础的电子设备中。这些设备的效率取决于薄膜的光学和结构特性。随着沉积和退火条件的改变,这些特性随之改变,所以准确地测量这些参数非常重要。监控晶圆硅基底和多晶硅之间,加入二氧化硅层,以增加光学对比,其薄膜厚度和光学特性均可测得。F20可以很容易地测量多晶硅薄膜的厚度和光学常数,以及二氧化硅夹层厚度。Bruggeman光学模型被用来测量多晶硅薄膜光学特性。
光源用于一般用途应用之光源L思-DDT2可用在Filmetrics设备的光源具有氘灯-钨丝与远端控制的快门来取代旧款HamamatsuD2光源L思-DLED1具有高亮度白光LED的光源光纤配件:CP-RepairToolKitCP-1-1.3接触探头是相当坚固的,但是光纤不能经常被抽屉碰撞或者被椅子压过。该套件包括指令,以及简单的维修工具,新的和旧风格的探头。FO-PAT-SMA-SMA-200-22米长,直径200um的光纤,两端配备SMA接头。FO-RP1-.25-SMA-200-1.32米长,分叉反射探头。监测控制生产过程中移动薄膜厚度。高达100 Hz的采样率可以在多个测量位置得到。
厚度标准:所有Filmetrics厚度标准都是得到验证可追溯的NIST标准。S-Custom-NIST:在客户提供的样品上定制可追溯的NIST厚度校准。TS-Focus-SiO2-4-3100SiO2-on-Si:厚度标准,外加调焦区和单晶硅基准,厚度大约3100A,4"晶圆。TS-Focus-SiO2-4-10000SiO2-on-Si:厚度标准,外加调焦区和单晶硅基准,厚度大约10000A,4"晶圆。TS-Hardcoat-4µm:丙烯酸塑料硬涂层厚度标准,厚度大约4um,直径2"。TS-Hardcoat-Trans:背面透明的硬涂层,可用于透射测量。TS-Parylene-4um:丙烯酸塑料上的聚对二甲苯厚度标准,厚度大约4um,直径2"。TS-Parylene-8um:硅基上的聚对二甲苯厚度标准,厚度大约8um,23mmx23mm。TS-SiO2-4-7200:硅基上的二氧化硅厚度标准,厚度大约7200A,4"晶圆。TS-SiO2-4-7200-NIST:可追溯的NISTSiO2-4-7200厚度标准。TS-SiO2-6-Multi:多厚度硅基上的二氧化硅标准:125埃米,250埃米,500埃米,1000埃米,5000埃米,和10000埃米(+/-10%误差),6英寸晶圆。TS-SS3-SiO2-8000:專為SS-3样品平台設計之二氧化硅厚度标准片,厚度大约為8000A。F30 系列是监控薄膜沉积,蕞强有力的工具。ITO导电膜膜厚仪生产国
重复性: 0.1 μm (1 sigma)单探头* ;0.8 μm (1 sigma)双探头*。盒厚膜厚仪应用
接触探头测量弯曲和难测的表面CP-1-1.3测量平面或球形样品,结实耐用的不锈钢单线圈。CP-1-AR-1.3可以抑制背面反射,对1.5mm厚的基板可抑制96%。钢制单线圈外加PVC涂层,蕞大可测厚度15um。CP-2-1.3用于探入更小的凹表面,直径17.5mm。CP-C6-1.3探测直径小至6mm的圆柱形和球形样品外侧。CP-C12-1.3用于直径小至12mm圆柱形和球形样品外侧。CP-C26-1.3用于直径小至26mm圆柱形和球形样品外侧。CP-BendingRod-L350-2弯曲长度300mm,总长度350mm的接触探头。用于难以到达的区域,但不会自动对准表面。CP-ID-0to90Deg-2用于食品和饮料罐头内壁的接触探头。CP-RA-3mmDia-200mmL-2直径蕞小的接触探头,配备微型直角反射镜,用来测量小至直径3mm管子的内壁,不能自动对准表面。CP-RA-10mmHigh-2配备微型直角反射镜,可以在相隔10mm的两个平坦表面之间进行测量。盒厚膜厚仪应用
岱美仪器技术服务(上海)有限公司是一家集研发、生产、咨询、规划、销售、服务于一体的贸易型企业。公司成立于2002-02-07,多年来在半导体工艺设备,半导体测量设备,光刻机 键合机,膜厚测量仪行业形成了成熟、可靠的研发、生产体系。EVG,Filmetrics,MicroSense,Herz,Herzan,Film Sense,Polyteknik,4D,Nanotronics,Subnano,Bruker,FSM,SHB目前推出了半导体工艺设备,半导体测量设备,光刻机 键合机,膜厚测量仪等多款产品,已经和行业内多家企业建立合作伙伴关系,目前产品已经应用于多个领域。我们坚持技术创新,把握市场关键需求,以重心技术能力,助力仪器仪表发展。岱美仪器技术服务(上海)有限公司研发团队不断紧跟半导体工艺设备,半导体测量设备,光刻机 键合机,膜厚测量仪行业发展趋势,研发与改进新的产品,从而保证公司在新技术研发方面不断提升,确保公司产品符合行业标准和要求。岱美仪器技术服务(上海)有限公司注重以人为本、团队合作的企业文化,通过保证半导体工艺设备,半导体测量设备,光刻机 键合机,膜厚测量仪产品质量合格,以诚信经营、用户至上、价格合理来服务客户。建立一切以客户需求为前提的工作目标,真诚欢迎新老客户前来洽谈业务。